北京超弦存储器研究院总体定位为国际先进的存储器综合研究平台、政产学研的对接平台、集成电路高端人才的培养平台。将建成一支由清华大学魏少军教授领衔的国内外顶尖学者、国际一流工程师构成的立体化的创新队伍，形成在存储器领域的持续创新能力，攻克先进存储器产品关键技术，并面向未来开展新型存储器研究，在新技术领域实现领跑。

通过北京市及国家持续支持与高强度的研发投入，超弦研究院目标在2025年与国际主流DRAM存储器制造商技术持平，2028年到达国际领先水平。根据国际存储器产品市场趋势及主流DRAM存储器制造商技术路线图以及国家集成电路战略要求，超弦研究院确定了四大研究方向为1z -1c nm DRAM存储器产品关键技术、新DRAM架构与先导工艺、基于存储的 存算一体 与 近存计算 芯片技术、MRAM、RRAM、FeRAM 及IGZO等新型存储器技术。

超弦研究院将为高校、科研院所和企业提供工艺研发平台、流片及验证服务，并与高校进行人才联合培养，解决高校就业问题、向产业输送人才，打造国内先进存储器交流研发平台，成为国际先进存储器的合作中心。

同时，超弦研究院将在全球范围内组织DRAM存储器相关专利，构建集成电路专利池，增强我国存储器产业应对外部专利风险能力，保障我国存储器产业的健康持续的发展。