公司信息
岗位职责：
1.磊晶结构及元件物理、电学特性分析；
2.开发建立TCAD /Silvaco器件仿真模型，着重在GaAs pHEMT,GaAs HBT, GaN HEMT等领域；
3.研发及客户服务。
岗位要求：
1.半导体微电子工程、电子信息工程、材料科学或电子物理系等理工科相关专业本科及以上学历；拥有半导体物理等相关基础知识，有半导体产业先关经历者尤佳；
2.熟悉pHEMT/HBT基本工作原理；
3.熟悉专利数据以及技术文献查找流程,具英文读/写能力；
4.沟通协调能力佳，能吃苦，肯加班，有志长期从事半导体建模、射频技术研发工作，具备良好的团队协作能力。
工作地点：福州/莆田
