公司信息
岗位职责：
1、参与制定公司研发战略，制定年度研发计划和实施方案，确保完成公司年度研发目标。
2、领导研发团队，进行公司IGBT、 SIC MOSFET、FRD等功率半导体器件的设计开发、产品升级和技术迭代。
3、负责产品器件问题的分析和解决，带领团队攻关技术难题，持续优化产品性能。
岗位要求：
1、硕士及以上学历，微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础；
2、具有6年（含）以上IGBT芯片研发经验，精通IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体器件的芯片结构设计、版图设计、器件仿真、流片工艺、测试应用等一系列开发流程；
3、具备功率半导体器件实际产品的开发/生产/应用经验和FAB流片经验，本人直接开发或负责开发的器件具有持续销售或应用的案例；
4、对SIC 器件性能，产品优劣势，材料特性等有一定的认识了解。
其他信息
语言要求：英语
行业要求：电子技术/半导体/集成电路
