我们是国产自研HBM高带宽内存芯片初创企业，聚焦AI算力、超算高端存储赛道，自主研发HBM3/HBM3e/HBM4堆叠内存、TSV先进封装、内存EDA全套技术，打破海外厂商专利壁垒。
现阶段研发DRAM架构，专利侵权风险、全球FTO自由实施、技术规避方案为公司生死级核心工作，现独家招募专职专利律师，全程主导HBM全链条专利风控、侵权规避、全球专利布局，作为知识产权板块唯一负责人，匹配长期期权激励，深度绑定公司上市/量产成长收益。
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