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功率器件研发工程师

15000-35000
四川-成都 -高新西区 | 3年以上经验 | 硕士学历
五险一金 包吃住 年终奖金 法定节假日
2025-09-01 更新 被浏览:
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职位描述
招聘人数:若干 到岗时间:不限 年龄要求:不限 性别要求:不限 婚况要求:不限

技能要求:
SGT MOS芯片设计
职位描述 : 负责SGT MOS设计开发项目
1、负责芯片设计与开发,能独立解决开发过程中的相关设计、工艺、测试、可靠性等问题;
2、制作项目开发计划及立项文件,建立项目开发数据库;
3、负责项目关键节点数据收集、分析、整理,推进项目各节点审批;
4、提供自研产品失效分析及技术支持,协助公司内部解决该类产品的客诉问题;
职位要求 :
1、硕士及以上学历优先;
2、微电子等相关理工科专业,熟悉半导体器件原理及芯片制造工艺;
3、3年以上设计开发相关经验,熟悉SGT MOS芯片设计、工艺流程以及产品测试;
4、能熟练使用Sentaurus/Silvaco等半导体器件仿真软件,以及Virtuoso/Ledit等版图绘制软件;
5、良好的数据分析及总结能力,良好的英文沟通及阅读能力

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  • 芯片设计
  • 股份制企业
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  成都先进功率半导体股份有限公司(APS)系乐山无线电(LRC)全资子公司,2009年成立于成都高新西区,聚焦半导体功率器件研发制造,员工规模超2000人,拥有行业顶尖工艺设备及世界500强背景的管理团队。公司依托四川省/成都市两级企业技术中心,累计获授权专利303项(含发明44项),器件产品销量稳居国内前三,年均增速超行业20%。作为LRC集团科技创新核心载体,APS深度协同电子科大等高校产学研资源,持续引领西部电子信息产业高速发展。

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